从“一带一路”出发 BSN年底将正式进入欧洲主流云服务市场

发布时间:2024-08-23 19:59:28 来源: sp20240823

人民网北京10月20日电 据悉,我国首个完全自主知识产权的区块链底层公共基础设施——区块链服务网络(BSN)近日与欧洲云计算方案提供商达成协议,根据协议,这一设施将把产品部署在使用欧洲相关云技术的数据中心内,首批产品将于2023年10月底上线,预计到2023年底,还将完成在瑞士的云服务部署,这也标志着中国的区块链服务网络将正式进入欧洲主流云服务市场。

随着数字经济的不断发展,互联网商业逻辑和数据交互日趋复杂化,不同的业务场景和数据处理要求对于分布式技术和多方系统应用的需求越来越明确。未来全球任何一个数据中心可能都需要在传统云管系统之外,再配备一套与之并行的分布式云技术,以使其具备大规模运行分布式多方系统的能力。BSN在设计之初即按照建设新一代云技术,服务于多方系统和应用的云基础设施理念来规划。前瞻性的理念加上数年的技术积累,使得BSN能够在该领域处于世界领先位置。

BSN聚焦分布式技术发展,围绕数字经济需求开展部署,目前已成为全世界数据中心节点规模最大的产业区块链公共基础设施,为区块链和分布式技术在数字经济、智慧城市等领域的创新应用打下了坚实的基础,不仅为中国数字经济发展提供了强大支撑,还在促进全球分布式应用和产业健康长效发展,以及更好地支持建设开放型世界经济和推动科技创新等方面发挥了重要作用。

实践充分证明,科技创新在“一带一路”建设中具有引领和支撑作用,也是高质量推进“一带一路”建设的重要保障。当前,中国的科技创新正在从量的积累迈向质的飞跃,从单点突破转向系统能力提升。凭借日益增强的科技实力和创新能力,中国在数字时代不断深化与“一带一路”共建国家的科技创新合作,持续加快中国技术、标准出海脚步,充分发挥技术领先优势,为实现规则标准的“软联通”提供坚实支撑。

作为我国首个完全自主知识产权的区块链底层公共基础设施,由国家信息中心牵头研发和顶层设计,并联合中国移动、中国银联和红枣科技等单位共同发起建立的区块链服务网络(BSN)在实施全球发展战略的过程中,选择以“一带一路”作为出发点,逐步将“走出去”的步伐扩展至欧洲及全球市场。

BSN与欧洲云计算解决方案提供商CloudSigma已达成协议,将其服务多方分布式系统的云技术体系引入CloudSigma的全球云服务网络中。根据协议,BSN将把BSN专网产品部署在使用CloudSigma云技术的云服务商数据中心内,首批将于2023年10月底上线,包括菲律宾的CTO Cloud和沙特的Virtual Vision;预计到2023年底,还将完成CloudSigma在瑞士的云服务上的部署,这也标志着BSN技术体系正式进入欧洲主流云服务市场。

BSN与CloudSigma的合作,让公有云服务商可快速在传统云服务基础上,提供服务于分布式多方系统及应用的专业云服务。基于双方各自的优势,这一合作将会帮助全球更多企业以更加方便、快捷、低成本的方式使用分布式技术和应用,从该领域的创新中受益。

从2018年发起成立BSN至今,五年来,国家信息中心不断推动BSN围绕关键技术开展技术研发和攻关,构建商业化平台并持续推动产业化应用,在促进分布式技术创新、引领行业发展、推动海外应用等方面取得了积极成效,确保了中国在分布式技术和基础设施领域的全球领先地位。

展望未来,BSN还将充分发挥技术、资源与创新优势,持续拓展国际科技创新合作的广度和深度,还将在国家信息中心的引领下,联合中国移动等单位加速推动分布式和区块链技术的创新和应用发展,助力中国成为分布式云技术领域的技术中心和规则制定者,帮助中国在新技术领域引领全球,在新一轮数字技术发展竞争中占领先机。

(责编:申佳平、章斐然)

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重大突破!首个石墨烯制成的功能半导体问世 - 文旅部:五方面举措为活力满满、热气腾腾的龙年中国添彩

重大突破!首个石墨烯制成的功能半导体问世

发布时间:2024-08-23 19:59:29 来源: sp20240823

人民网北京1月30日电 (记者李依环)记者从天津大学获悉,该校天津纳米颗粒与纳米系统国际研究中心教授马雷及其科研团队,日前在半导体石墨烯领域取得了显著进展。该团队的研究成果《碳化硅上生长的超高迁移率半导体外延石墨烯》,已于1月3日在《自然》杂志网站上在线发布。

据悉,该研究成果成功地攻克了长期以来阻碍石墨烯电子学发展的关键技术难题,打开了石墨烯带隙,实现了从“0”到“1”的突破。这一突破被认为是开启石墨烯芯片制造领域大门的重要里程碑。

石墨烯,作为首个被发现可在室温下稳定存在的二维材料,其独特的狄拉克锥能带结构,导致了零带隙的特性。“零带隙”特性正是困扰石墨烯研究者数十年的难题。如何打开带隙,成为开启“石墨烯电子学”大门的“关键钥匙”。

天津大学天津纳米颗粒与纳米系统国际研究中心教授马雷研究团队通过对外延石墨烯生长过程的精确调控,成功地在石墨烯中引入了带隙,创造了一种新型稳定的半导体石墨烯。这项前沿科技通过对生长环境的温度、时间及气体流量进行严格控制,确保了碳原子在碳化硅衬底上能形成高度有序的结构。这种半导体石墨烯的电子迁移率远超硅材料,表现出了十倍于硅的性能,并且拥有硅材料所不具备的独特性质。

该项研究实现了三方面技术革新,首先,采用创新的准平衡退火方法,该方法制备的超大单层单晶畴半导体外延石墨烯(SEG),具有生长面积大、均匀性高,工艺流程简单、成本低廉等优势,弥补了传统生产工艺的不足;第二,该方法制备的半导体石墨烯,拥有约600 meV带隙以及高达5500 cm2V-1s-1的室温霍尔迁移率,优于目前所有二维晶体至少一个数量级;最后,以该半导体外延石墨烯制备的场效应晶体管开关比高达104,基本满足了现在的工业化应用需求。

据介绍,在本次天津大学天津纳米颗粒与纳米系统国际研究中心的突破性研究中,具有带隙的半导体石墨烯为高性能电子器件带来了全新的材料选择。这种半导体的发展不仅为超越传统硅基技术的高性能电子器件开辟了新道路,还为整个半导体行业注入了新动力。随着摩尔定律所预测的极限日益临近,半导体石墨烯的出现恰逢其时,预示着电子学领域即将迎来一场根本性的变革,其突破性的属性满足了对更高计算速度和微型化集成电子器件不断增长的需求。

(责编:郝孟佳、熊旭)